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【新时代 新作为 新篇章】创新突破封锁线

时间:2018年06月18日 05:26 来源:山西新闻网--山西日报

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开奖结果七星彩 www.p2pi.com.cn     6月5日,中国电子科技集团公司第二研究所生产车间,100台碳化硅单晶生长设备一字排开,碳化硅单晶正安静“奋力”生长。完成10天生长周期,经过精密加工后,一张张直径6英寸,厚度0.5毫米的圆形薄片以单价3万元的价格走向市场,等待数月的客商们排队拿货。来自日本等地的客商甚至拿出高于市价两倍的价钱抢购,一片难求。
    碳化硅作为第三代半导体材料,凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现,成为当今最受关注的新型半导体材料之一,采用碳化硅制成的电子元件,广泛用于军工、通信、新能源汽车等领域。高稳定性的长晶工艺技术是其核心,少数发达国家掌握在手,全球仅有极少数企业能商业化量产。今年上半年,中电科二所历经11年艰苦攻关,在国内率先完成4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料的工程化和6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的研发,一举突破国外对我国碳化硅晶体生长技术的长期封锁。该项目负责人李斌说:“去年习近平总书记在山西视察时,专门了解碳化硅项目进展情况,他要求科研人员瞄准国际先进标杆全面提高产品技术、工艺装备水平。我们听后备受鼓舞。今年,我们完成技术革新,产品实现升级换代,伴随其产业化进程的推进,我国将摆脱碳化硅半导体衬底依赖进口的局面?!?br>    实验室里静悄悄,科研人员正在分析新一批样品数据,科研攻关路上,一刻也不曾松懈。李斌向记者介绍,在工艺为先的思路下,科研人员突破了高纯碳化硅粉料中的杂质、粒度、晶型控制等核心技术,研制出高纯度的碳化硅粉料。设备制造上,优化大直径晶体生长的温场设计,能提供适合大直径单晶生长高温、高真空的生长环境。一项项关键技术突破,通过核心工艺技术及装备的研发升级,收获了高品质、大尺寸碳化硅晶体。
    “今年一季度,企业销售额同比增长186%,首超亿元?!崩畋笏?,“下一步,我们将在省转型综改示范区建设新厂区,预计年产20万片6英寸碳化硅单晶衬底,以此来满足市场需求?!?br>

本报记者沈佳

(责任编辑:任姝杉)

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